產(chǎn)品中心
聯(lián)系我們
手機(jī)： 0532-86625732
郵箱： mamie_chm@126.com
地址： 青島市膠州市上合示范區(qū)閩江路60號(hào)
設(shè)備名稱(chēng) 反應(yīng)離子刻蝕RIE 品牌型號(hào) oxford
設(shè)備用途
利用F基氣體產(chǎn)生的plasma，對(duì)SiO2和Si3N4進(jìn)行刻蝕加工
主要技術(shù)指標(biāo)：
可用氣體：Ar、N2、CHF3、NF3、N2O
刻蝕腔體極限真空度： 5×10^-6Torr , 真空漏率 0.5mTorr/min
刻蝕速率： SiO2 ≥30nm/min，SiNx≥30nm/min
刻蝕選擇比：對(duì)SiO2＞2.5,對(duì)Si3N4＞1.5
側(cè)壁角度：＞80℃
加工尺寸：2inch、3inch、4inch、碎片
